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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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研究单元&专题
中国科学院半导体研究... [5]
作者
江德生 [1]
张艳华 [1]
文献类型
会议论文 [5]
发表日期
2004 [5]
语种
英语 [5]
出处
JOURNAL OF... [1]
MICRON, 35... [1]
PROCEEDING... [1]
SMIC-XIII ... [1]
SMIC-XIII2... [1]
资助项目
收录类别
CPCI-S [5]
资助机构
IEEE Elect... [2]
Int Comm M... [1]
会议主办方: Wuh... [1]
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知识图谱
SEMI OpenIR
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共5条,第1-5条
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收录类别:CPCI\-S
发表日期:2004
专题:中国科学院半导体研究所(2009年前)
第一作者的第一单位
第一作者单位
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提交时间降序
作者升序
作者降序
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期刊影响因子降序
Design of spectrometer based on volume phase grating for near infrared range
会议论文
PROCEEDINGS OF THE THIRD INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON INSTRUMENTATION SCIENCE AND TECHNOLOGY, VOL 3, Xian, PEOPLES R CHINA, AUG 18-22, 2004
作者:
Li F
;
Xin HL
;
Cao P
;
Liu YL
;
Li F Res & Dev Ctr Optoelect POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
Adobe PDF(371Kb)
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浏览/下载:1395/297
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提交时间:2010/10/29
Spectrometer
Volume Phase Grating
Optical Design
Resolution
Microstructural and compositional characteristics of GaN films grown on a ZnO-buffered Si(111) wafer
会议论文
MICRON, 35 (6), Wuhan, PEOPLES R CHINA, OCT 17-21, 2003
作者:
Luo XH
;
Wang RM
;
Zhang XP
;
Zhang HZ
;
Yu DP
;
Luo MC
;
Wang RM Peking Univ Electron Microscopy Lab Beijing 100871 Peoples R China. 电子邮箱地址: rmwang@pku.edu.cn
Adobe PDF(419Kb)
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浏览/下载:1522/365
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提交时间:2010/10/29
Transmission Electron Microscopy
Electron Energy Loss Spectroscopy
Molecular Beam Epitaxy
Gallium Nitride
Chemical-vapor-deposition
Epitaxy
Layer
Growth and characterization of 4H-SiC by horizontal hot-wall CVD
会议论文
SMIC-XIII 2004 13th International Conference on Semiconducting & Insulating Materials, Beijing, PEOPLES R CHINA, SEP 20-25, 2004
作者:
Sun, GS
;
Gao, X
;
Wang, L
;
Zhao, WS
;
Zeng, YP
;
Li, JM
;
Sun, GS, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Semicond Mat Lab, Beijing 100083, Peoples R China.
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浏览/下载:1478/293
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提交时间:2010/03/29
Chemical-vapor-deposition
Shallow donor defect formation and its influence on semi-insulating indium phosphide after high temperature annealing with long duration
会议论文
SMIC-XIII2004 13th International Conference on Semiconducting & Insulating Materials, Beijing, PEOPLES R CHINA, SEP 20-25, 2004
作者:
Zhao, YW
;
Dong, ZY
;
Zhang, YH
;
Li, CJ
;
Zhao, YW, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Ctr Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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浏览/下载:1514/312
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提交时间:2010/03/29
Deep-level Defects
Fe-doped Inp
Grown Inp
Spectroscopy
Resonance
Wafer
Structural and optical properties of GaAsSb/GaAs heterostructure quantum wells
会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 268 (3-4), Singapore, SINGAPORE, DEC 07-12, 2003
作者:
Jiang DS
;
Bian LF
;
Liang XG
;
Chang K
;
Sun BQ
;
Johnson S
;
Zhang YH
;
Jiang DS CAS Inst Semicond SKLSM Beijing 100083 Peoples R China. 电子邮箱地址: dsjiang@red.semi.ac.cn
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浏览/下载:1627/405
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提交时间:2010/11/15
Molecular Beam Epitaxy
Quantum Wells
Gaassb/gaas
Gaas
Lasers
Gain