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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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研究单元&专题
中科院半导体材料科... [18]
作者
魏鸿源 [1]
焦春美 [1]
杨少延 [1]
文献类型
专利 [11]
期刊论文 [7]
发表日期
2015 [2]
2014 [1]
2013 [3]
2010 [1]
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专题:中科院半导体材料科学重点实验室
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无权访问的条目
期刊论文
作者:
X. Rong
;
X. Q. Wang
;
G. Chen
;
X. T. Zheng
;
P. Wang
;
F. J. Xu
;
Z. X. Qin
;
N. Tang
;
Y. H. Chen
;
L. W. Sang
;
M. Sumiya
;
W. K. Ge
;
B. Shen
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浏览/下载:397/2
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提交时间:2016/03/18
无权访问的条目
期刊论文
作者:
G. Chen
;
X.Q. Wang
;
X. Rong
;
P. Wang
;
F.J. Xu
;
N. Tang
;
Z.X. Qin
;
Y.H. Chen
;
B. Shen
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浏览/下载:269/1
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提交时间:2016/03/22
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Zhu, LP
;
Liu, Y
;
Jiang, CY
;
Yu, JL
;
Gao, HS
;
Ma, H
;
Qin, XD
;
Li, Y
;
Wu, Q
;
Chen, YH
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浏览/下载:537/120
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提交时间:2015/03/20
无权访问的条目
期刊论文
作者:
J. L. Yu, Y. H. Chen, Y. Liu, C. Y. Jiang, H. Ma, L. P. Zhu, X. D. Qin
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浏览/下载:344/110
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提交时间:2014/03/18
无权访问的条目
期刊论文
作者:
G. Chen, Z. L. Li, X. Q. Wang, C. C. Huang, X. Rong, L. W. Sang, F. J. Xu, N. Tang, Z. X. Qin, M. Sumiya, Y. H. Chen, W. K. Ge, B. Shen
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浏览/下载:444/127
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提交时间:2014/02/12
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Yu, J. L.
;
Chen, Y. H.
;
Liu, Y.
;
Jiang, C. Y.
;
Ma, H.
;
Zhu, L. P.
;
Qin, X. D.
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浏览/下载:796/240
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提交时间:2013/09/22
无权访问的条目
期刊论文
作者:
王振华
;
杨安丽
;
刘祥林
;
魏鸿源
;
焦春美
;
朱勤生
;
杨少延
;
王占国
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浏览/下载:1175/259
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提交时间:2011/08/16
掺杂剂锌辅助的自催化法生长InN纳米棒材料的方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910237095.8, 公开日期: 2011-08-31
发明人:
宋华平
;
杨安丽
;
郭严
;
魏鸿源
;
刘祥林
;
朱勤生
;
杨少延
;
王占国
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浏览/下载:1532/243
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提交时间:2011/08/31
在非极性蓝宝石衬底上生长水平排列氧化锌纳米线的方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102191540A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:
桑玲
;
王俊
;
魏鸿源
;
焦春美
;
刘祥林
;
朱勤生
;
杨少延
;
王占国
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浏览/下载:1675/250
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提交时间:2012/09/09
一种在蓝宝石衬底上生长自剥离氮化镓薄膜的方法
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-12-26
发明人:
王建霞
;
李志伟
;
赵桂娟
;
桑玲
;
刘长波
;
魏鸿源
;
焦春美
;
杨少延
;
刘祥林
;
朱勤生
;
王占国
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浏览/下载:1038/98
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提交时间:2014/10/29