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| 低位错氮化镓的生长方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102409406A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09 发明人: 吴奎; 魏同波; 闫建昌; 刘喆; 王军喜; 李晋闽 Adobe PDF(258Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1274/208  |  提交时间:2012/09/09 |
| 具有空气桥结构发光二极管的制作方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2012-09-19 发明人: 吴奎; 魏同波; 闫建昌; 刘喆; 王军喜; 张逸韵; 李璟; 李晋闽 Adobe PDF(1006Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:737/78  |  提交时间:2014/10/28 |
| 基于湿法剥离垂直结构发光二极管的制作方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2012-10-03 发明人: 吴奎; 魏同波; 蓝鼎; 闫建昌; 刘喆; 王军喜; 张逸韵; 李晋闽 Adobe PDF(530Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:750/83  |  提交时间:2014/10/28 |
| 蓝宝石纳米碗阵列图形衬底的制作方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2012-09-26 发明人: 吴奎; 魏同波; 闫建昌; 刘喆; 王军喜; 张逸韵; 李璟; 李晋闽 Adobe PDF(1041Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:794/74  |  提交时间:2014/10/28 |
| 纳米柱发光二极管的制作方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2012-10-03 发明人: 吴奎; 魏同波; 闫建昌; 刘喆; 王军喜; 张逸韵; 李璟; 李晋闽 Adobe PDF(409Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:772/107  |  提交时间:2014/10/28 |
| 用于GaN基LED的ITO纳米碗阵列的粗化方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2012-09-26 发明人: 吴奎; 魏同波; 闫建昌; 刘喆; 王军喜; 张逸韵; 李璟; 李晋闽 Adobe PDF(965Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:869/68  |  提交时间:2014/10/31 |
| 在低位错GaN纳米柱上外延LED的方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2012-09-19 发明人: 吴奎; 魏同波; 闫建昌; 刘喆; 王军喜; 李晋闽 Adobe PDF(282Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:917/113  |  提交时间:2014/10/31 |