SEMI OpenIR  > 中科院半导体照明研发中心
纳米柱发光二极管的制作方法
吴奎; 魏同波; 闫建昌; 刘喆; 王军喜; 张逸韵; 李璟; 李晋闽
专利权人中国科学院半导体研究所
公开日期2012-10-03
授权国家中国
专利类型发明
学科领域半导体器件
申请日期2012-06-04
申请号CN201210180419.0
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/25235
专题中科院半导体照明研发中心
推荐引用方式
GB/T 7714
吴奎,魏同波,闫建昌,等. 纳米柱发光二极管的制作方法.
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