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一种抑制垂直腔面发射激光器发散角的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-03-03, 2010-08-12
发明人:  郑婉华;  刘安金;  邢名欣;  渠宏伟;  陈 微;  周文君;  陈良惠
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一种单模高功率垂直腔面发射激光器及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-03-10, 2010-08-12
发明人:  渠红伟;  郑婉华;  刘安金;  王 科;  张冶金;  彭红玲;  陈良惠
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低温晶片键合的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-03-24, 2010-08-12
发明人:  彭红玲;  陈良惠;  郑婉华;  石 岩;  渠红伟;  杨国华;  何国荣
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一种双面键合长波长垂直腔面发射激光器及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-03-10, 2010-08-12
发明人:  渠红伟;  郑婉华;  刘安金;  王 科;  张冶金;  彭红玲;  陈良惠
Adobe PDF(2122Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1776/262  |  提交时间：2010/08/12
低介电常数BCB树脂的固化方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-01-13, 2010-08-12
发明人:  程远兵;  周 帆;  潘教青;  陈娓兮;  王 圩
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wei TB (Wei T. B.);  Hu Q (Hu Q.);  Duan RF (Duan R. F.);  Wei XC (Wei X. C.);  Yang JK (Yang J. K.);  Wang JX (Wang J. X.);  Zeng YP (Zeng Y. P.);  Wang GH (Wang G. H.);  Li JM (Li J. M.);  Wei, TB, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Semicond Lighting Technol Res & Dev Ctr, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: tbwei@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Ning JQ (Ning J. Q.);  Xu SJ (Xu S. J.);  Wei ZF (Wei Z. F.);  Ruan XZ (Ruan X. Z.);  Ji Y (Ji Yang);  Zheng HZ (Zheng H. Z.);  Liu HC (Liu H. C.);  Xu, SJ, Univ Hong Kong, Dept Phys, Pokfulam Rd, Hong Kong, Hong Kong, Peoples R China. 电子邮箱地址: sjxu@hkucc.hku.hk
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liu JM (Liu J. M.);  Liu XL (Liu X. L.);  Xu XQ (Xu X. Q.);  Wang J (Wang J.);  Li CM (Li C. M.);  Wei HY (Wei H. Y.);  Yang SY (Yang S. Y.);  Zhu QS (Zhu Q. S.);  Fan YM (Fan Y. M.);  Zhang XW (Zhang X. W.);  Wang ZG (Wang Z. G.)
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Song HP (Song H. P.);  Zheng GL (Zheng G. L.);  Yang AL (Yang A. L.);  Guo Y (Guo Y.);  Wei HY (Wei H. Y.);  Li CM (Li C. M.);  Yang SY (Yang S. Y.);  Liu XL (Liu X. L.);  Zhu QS (Zhu Q. S.);  Wang ZG (Wang Z. G.);  Song, HP, Chinese Acad Sci, Key Lab Semicond Mat Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: songhp@semi.ac.cn;  xlliu@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  陈依新;  郑婉华;  陈微;  陈良惠;  汤益丹;  沈光地
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