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氧化硅上制备低阻碳化硅的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-05-27, 公开日期: 3996
发明人:  赵永梅;  孙国胜;  宁 瑾;  王 亮;  刘兴昉;  赵万顺;  王 雷;  李晋闽;  曾一平
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Shi HL;  Zhang P;  Li SS;  Sun B;  Wang BT;  Zhang P Inst Appl Phys & Computat Math LCP POB 8009 Beijing 100088 Peoples R China. E-mail Address: zhang_ping@iapcm.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Sun XM;  Zhang H;  Zhu H;  Xu P;  Li GR;  Liu J;  Zheng HZ;  Sun XM Chinese Acad Sci State Key Lab Microstruct & Superlattices Inst Semicond POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: hzzheng@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  郭杰;  彭震宇;  鲁正雄;  孙维国;  郝瑞亭;  周志强;  许应强;  牛智川
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  郭杰;  孙维国;  彭震宇;  周志强;  徐应强;  牛智川
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