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不对称的脊形氮化镓基半导体激光器及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-10-03, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  李德尧;  张书明;  杨辉;  梁俊吾
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背照射氮化镓基肖特基结构紫外探测器 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-05-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  赵德刚;  杨辉;  梁骏吾;  李向阳;  龚海梅
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提高铝镓氮材料质量的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-05-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  赵德刚;  杨辉;  梁骏吾;  李向阳;  龚海梅
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Sun JY (Sun Jiayin);  Chen J (Chen Jing);  Wang X (Wang Xi);  Wang JF (Wang Jianfeng);  Liu W (Liu Wei);  Zhu JJ (Zhu Jianjun);  Yang H (Yang Hui);  Sun, JY, No 865,Changning Rd, Shanghai 200050, Peoples R China. 电子邮箱地址: jiayinsun@mail.sim.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Jahn U (Jahn Uwe);  Jiang DS (Jiang De-Sheng);  Ploog KH (Ploog Klaus H.);  Wang XL (Wang Xiaolan);  Zhao DG (Zha0 Degang);  Yang H (Yang, Hui);  Jahn, U, Paul Drude Inst Festkorperelekt, Hausvogteipl 5-7, D-10117 Berlin, Germany. 电子邮箱地址: ujahn@pdi-berlin.de
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liu WB (Liu Wenbao);  Sun X (Sun Xian);  Zhang S (Zhang Shuang);  Chen J (Chen Jun);  Wang H (Wang Hui);  Wang XL (Wang Xiaolan);  Zhao DG (Zhao Degang);  Yang H (Yang Hui);  Liu, WB, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: wbliu@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Deng DM (Deng Dongmei);  Zhao DG (Zhao Degang);  Wang JY (Wang Jinyan);  Yang H (Yang Hui);  Wen CP (Wen Cheng Paul);  Deng, DM, Peking Univ, Inst Microelect, Beijing 100871, Peoples R China. 电子邮箱地址: dmdeng@ime.pku.edu.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang XL (Wang Xiao-Lan);  Zhao DG (Zhao De-Gang);  Yang H (Yang Hui);  Liang JW (Liang Jun-Wu);  Wang, XL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: WXL@mail.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Jiang, DS (Jiang, De-Sheng);  Zhao, DG (Zhao, De-Gang);  Yang, H (Yang, Hui);  Jiang, DS, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: dsjiang@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  刘宗顺;  赵德刚;  朱建军;  张书明;  段俐宏;  王海;  史永生;  刘文宝;  张爽;  江德生;  杨辉
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