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共振遂穿二极管与高电子迁移率晶体管器件制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-07-26, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  黄应龙;  杨富华;  王良臣;  王建林;  伊小燕;  马龙
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhai TY (Zhai Tianyou);  Zhang XZ (Zhang Xinzheng);  Yang WS (Yang Wensheng);  Ma Y (Ma Ying);  Wang JF (Wang Jianfeng);  Gu ZJ (Gu Zhanjun);  Yu DP (Yu Dapeng);  Yang H (Yang Hui);  Yao JN (Yao Jiannian);  Yao, JN, Chinese Acad Sci, Inst Chem, Ctr Mol Sci, Key Lab Photochem, Beijing 100080, Peoples R China. E-mail: jnyao@iccas.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang YG (Wang Yong-Gang);  Ma XY (Ma Xiao-Yu);  Peng JY (Peng Ji-Ying);  Tan HM (Tan Hui-Ming);  Qian LS (Qian Long-Sheng);  Wang, YG, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: chinawygxjw@163.com;  chinawygxjw@163.com;  jiy@163.com;  ytan@163.com
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Ma L (Ma Long);  Huang YL (Huang Ying-Long);  Zhang Y (Zhang Yang);  Yang FH (Yang Fu-Hua);  Wang LC (Wang Liang-Chen);  Ma, L, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Engn Res Ctr Semicond Integrated Technol, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: malong@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Ma L (Ma Long);  Huang YL (Huang Ying-Long);  Zhang Y (Zhang Yang);  Wang LC (Wang Liang-Chen);  Yang FH (Yang Fu-Hua);  Zeng YP (Zeng Yi-Ping);  Ma, L, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Engn Res Ctr Semicond Integrat Technol, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: malong@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  马龙;  王良臣;  黄应龙;  杨富华
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  马龙;  杨富华;  王良臣;  余洪敏;  黄应龙
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