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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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研究单元&专题
中国科学院半导体研究... [8]
作者
李成明 [1]
文献类型
期刊论文 [6]
会议论文 [2]
发表日期
2003 [8]
语种
英语 [8]
出处
JOURNAL OF... [2]
CHINESE PH... [1]
CHINESE SC... [1]
GAN AND RE... [1]
JOURNAL OF... [1]
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共8条,第1-8条
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发表日期:2003
语种:英语
专题:中国科学院半导体研究所(2009年前)
第一作者的第一单位
第一作者单位
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65
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85
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无权访问的条目
期刊论文
作者:
Lin ZL
;
Zheng XH
;
Wang Q
;
Zhou ML
;
Lin, ZL, Chinese Acad Sci, Shanghai Inst Microsyst & Informat Technol, Ion Beam Lab, Shanghai 200050, Peoples R China. 电子邮箱地址: lzlsim@sina.com.cn
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浏览/下载:777/195
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提交时间:2010/03/09
High-mobility Ga-polarity GaN achieved by NH3-MBE
会议论文
GAN AND RELATED ALLOYS-2002, 743, BOSTON, MA, DEC 02-06, 2002
作者:
Wang JX
;
Wang XL
;
Sun DZ
;
Li JM
;
Zeng YP
;
Hu GX
;
Liu HX
;
Lin LY
;
Wang JX Chinese Acad Sci Inst Semicond Mat Ctr POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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浏览/下载:1783/427
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提交时间:2010/10/29
Molecular-beam Epitaxy
Ion-scattering Spectroscopy
Lattice Polarity
Single-crystals
Films
Polarization
Gan(0001)
Surfaces
Growth
Diodes
Hydrogen related defects in neutron-irradiated silicon grown in hydrogen ambient
会议论文
MICROELECTRONIC ENGINEERING, 66 (1-4), XIAN, PEOPLES R CHINA, JUN 10-14, 2002
作者:
Wang QY
;
Wang JH
;
Deng HF
;
Lin LY
;
Wang QY Chinese Acad Sci Inst Semicond Mat Sci Ctr Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/11/15
Neutron Irradiation
Annealing
Defects In Silicon
Spectra
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Li CM
;
Liu FQ
;
Lin P
;
Wang ZG
;
Liu FQ,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Key Lab Semicond Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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提交时间:2010/08/12
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Wang QY
;
Wang JH
;
Deng HF
;
Lin LY
;
Wang QY,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Mat Sci Ctr,Beijing 100083,Peoples R China.
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提交时间:2010/08/12
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Chen NF
;
Zhang FQ
;
Yang JL
;
Liu ZK
;
Yang SY
;
Chai CL
;
Wang ZG
;
Hu WR
;
Lin LY
;
Chen NF,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Key Lab Semicond Mat Sci,Beijing 100083,Peoples R China.
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提交时间:2010/08/12
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Luo MC
;
Li JM
;
Wang QM
;
Sun GS
;
Wang L
;
Li GR
;
Zeng YP
;
Lin LY
;
Luo MC,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Novel Semicond Mat Lab,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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浏览/下载:1315/464
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提交时间:2010/08/12
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Tan LW
;
Wang QY
;
Wang J
;
Yu YH
;
Liu ZL
;
Lin LY
;
Tan LW,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Novel Semicond Mat Lab,Ctr Mat Sci,Beijing 100083,Peoples R China.
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提交时间:2010/08/12