已选(0)清除
条数/页: 排序方式: |
| 增强n-ZnO/AlN/p-GaN发光二极管的电致发光性能的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102394263A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09 发明人: 尹志岗; 张曙光; 张兴旺; 董敬敬; 高红丽; 施辉东 Adobe PDF(416Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1248/201  |  提交时间:2012/09/09 |
| 增强ZnO基发光二极管紫光电致发光性能的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102394264A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09 发明人: 张兴旺; 张曙光; 尹志岗; 董敬敬; 高红丽; 施辉东 Adobe PDF(399Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1191/183  |  提交时间:2012/09/09 |
| 利用非极性ZnO缓冲层生长非极性InN薄膜的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010157517.3, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 郑高林; 杨安丽; 宋华平; 郭严; 魏鸿源; 刘祥林; 朱勤生; 杨少延; 王占国 Adobe PDF(1109Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1300/206  |  提交时间:2011/08/31 |
| Cu掺杂p型ZnO薄膜的制备方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010106765.5, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 杨晓丽; 陈诺夫; 尹志岗 Adobe PDF(213Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1174/208  |  提交时间:2011/08/31 |
| 制作ZnO基异质结发光二极管的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010183370.5, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 张曙光; 尹志岗; 张兴旺; 游经碧 Adobe PDF(319Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1284/233  |  提交时间:2011/08/31 |
| 改善n-ZnO/AlN/p-GaN异质结发光二极管电致发光性能的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102130229A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09 发明人: 张曙光; 张兴旺; 尹志岗; 董敬敬; 游经碧 Adobe PDF(422Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1589/244  |  提交时间:2012/09/09 |
| ZnO体单晶的Sb离子注入掺杂及退火激活方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2012-09-26 发明人: 谢辉; 赵有文 Adobe PDF(376Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:715/87  |  提交时间:2014/10/31 |
| ZnO纳米棒发光二极管及其制作方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2012-08-01 发明人: 施辉东; 张兴旺; 张曙光; 尹志岗; 董敬敬; 刘鑫 Adobe PDF(264Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:829/92  |  提交时间:2014/10/29 |