中文版 | English

在结果中检索

SEMI OpenIR

浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助

限定条件                    
已选(0)清除 条数/页：   排序方式：
InGaN太阳能电池及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-12-19
发明人:  李亮;  赵德刚;  江德生;  刘宗顺;  陈平;  吴亮亮;  乐伶聪;  杨辉
Adobe PDF(439Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：752/87  |  提交时间：2014/10/31
含有变In组分InGaN/GaN多层量子阱结构的太阳能电池 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-05-08
发明人:  杨静;  赵德刚;  李亮;  吴亮亮;  乐伶聪;  李晓静;  何晓光
Adobe PDF(418Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：847/105  |  提交时间：2014/11/24
高密度高均匀InGaN量子点结构及生长方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-02
发明人:  刘炜;  赵德刚;  陈平;  刘宗顺;  江德生
Adobe PDF(434Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：431/4  |  提交时间：2016/09/02
基于二维岛的InGaN量子点外延结构及制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-12
发明人:  刘炜;  赵德刚;  陈平;  刘宗顺;  朱建军;  江德生
Adobe PDF(353Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：376/2  |  提交时间：2016/09/12
InGaN/AlInGaN多量子阱太阳能电池结构 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-08-30
发明人:  杨静;  赵德刚;  乐伶聪;  李晓静;  何晓光
Adobe PDF(338Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：647/4  |  提交时间：2016/08/30
InGaN量子点的外延结构及生长方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-12
发明人:  刘炜;  赵德刚;  陈平;  刘宗顺;  朱建军;  江德生
Adobe PDF(537Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：385/2  |  提交时间：2016/09/12