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纳米尺度相变存储器新结构及关键工艺研发 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2015
作者:  付英春
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相变存储器  全限制  自对准  牺牲层  量子点  
纳米线中GaAs单量子点光学性质研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2015
作者:  杨爽
Adobe PDF(5602Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1053/56  |  提交时间:2015/06/02
纳米线  量子点  高效单光子源  纤锌矿砷化镓  准直接能带  
GaN和GaSb基稀磁半导体、肖特基结的制备及其性质研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2015
作者:  陶东言
Adobe PDF(5924Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:852/36  |  提交时间:2015/05/29
稀磁半导体  Gan  Gasb  表面钝化  肖特基器件