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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liang S;  Zhu HL;  Pan JQ;  Zhao LJ;  Wang LF;  Zhou F;  Shu HY;  Bian J;  An X;  Wang W;  Liang, S, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: liangsong@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Sun, LL;  Yan, FW;  Gao, HY;  Zhang, HX;  Zeng, YP;  Wang, GH;  Li, JM;  Sun, LL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Semicond Lighting Technol Res & Dev Ctr, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: lilisun@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Hu, LJ;  Chen, YH;  Ye, XL;  Jiao, YH;  Shi, LW;  Wang, ZG;  Chen, YH, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: yhchen@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Ding WC;  Hu D;  Zheng J;  Chen P;  Cheng BW;  Yu JZ;  Wang QM;  Ding, WC, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: wcd04@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang, ZY;  Hogg, RA;  Xu, B;  Jin, P;  Wang, ZG;  Zhang, ZY, Univ Sheffield, Dept Elect & Elect Engn, Sir Frederick Mappin Bldg,Mappin St, Sheffield S1 3JD, S Yorkshire, England. 电子邮箱地址: ziyang.zhang@shef.ac.uk
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhao, YW;  Dong, ZY;  Zhao, YW, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: zhaoyw@red.semi.ac.cn
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Fabrication of Nano-structured VOx Film by Low Temperature Ion Beam Sputtering and Reductive Annealing 会议论文
2008 2ND IEEE INTERNATIONAL NANOELECTRONICS CONFERENCE, Shanghai, PEOPLES R CHINA, MAR 24-27, 2008
作者:  Wang XD;  Li GK;  Liang JR;  Ji A;  Hu M;  Yang FH;  Liu J;  Wu NJ;  Chen HD;  Wang, XD, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Engn Res Ctr Semicond Integrated Technol, Beijing 100083, Peoples R China.
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V2o5 Thin-films  
Native deep level defects in ZnO single crystal grown by CVT method - art. no. 68410I 会议论文
SOLID STATE LIGHTING AND SOLAR ENERGY TECHNOLOGIES, Beijing, PEOPLES R CHINA, NOV 12-14, 2007
作者:  Zhao, YW;  Zhang, F;  Zhang, R;  Dong, ZY;  Wei, XC;  Zeng, YP;  Li, JM;  Zhao, YW, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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Zinc Oxide  Defect  Vacancy  
Characterization of bulk ZnO single crystal grown by a CVT method - art. no. 68410F 会议论文
SOLID STATE LIGHTING AND SOLAR ENERGY TECHNOLOGIES, Beijing, PEOPLES R CHINA, NOV 12-14, 2007
作者:  Wei, XC;  Zhao, YW;  Dong, ZY;  Li, JM;  Wei, XC, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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Zinc Oxide  X-ray Diffraction  Defects  Single Crystal  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wei, XC;  Zhao, YW;  Dong, ZY;  Li, JM;  Wei, XC, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: xcwei@semi.ac.cn
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