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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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作者
王玉田 [1]
韩伟华 [1]
韩培德 [1]
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期刊论文 [9]
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发表日期
2001 [12]
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发表日期:2001
专题:中国科学院半导体研究所(2009年前)
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Quality improvement of GaInNAs/GaAs quantum wells grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy
会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 227, BEIJING, PEOPLES R CHINA, SEP 11-15, 2000
作者:
Li LH
;
Pan Z
;
Zhang W
;
Lin YW
;
Wang XY
;
Wu RH
;
Li LH Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelect POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/11/15
Characterization
Defects
X-ray Diffraction
Molecular Beam Epitaxy
Nitrides
Gaas
Structural evaluation of polycrystalline silicon thin films by hot-wire-assisted PECVD
会议论文
THIN SOLID FILMS, 395 (1-2), KANAZAWA, JAPAN, NOV 14-17, 2000
作者:
Feng Y
;
Zhu M
;
Liu F
;
Liu J
;
Han H
;
Han Y
;
Zhu M Chinese Acad Sci Grad Sch Dept Phys POB 3908 Beijing 100039 Peoples R China.
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提交时间:2010/11/15
Poly-si
Structure
Hot-wire
Plasma-enhanced Chemical Vapor Deposition (Pecvd)
Chemical-vapor-deposition
Microcrystalline Silicon
Hydrogen
Type I-type II transition of self-assembled In0.55Al0.45As/Al0.5Ga0.5As quantum dots
会议论文
PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC RESEARCH, 223 (1), SAPPORO, JAPAN, SEP 24-28, 2000
作者:
Li GH
;
Chen Y
;
Fung ZL
;
Ding K
;
Han HX
;
Zhou W
;
Wang ZG
;
Li GH Chinese Acad Sci Inst Semicond Natl Lab Superlattices & Microstruct POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/11/15
Hydrostatic-pressure
Photoluminescence
Gaas
Luminescence
Growth
Insb
Gasb
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Feng Y
;
Zhu M
;
Liu F
;
Liu J
;
Han H
;
Han Y
;
Zhu M,Chinese Acad Sci,Grad Sch,Dept Phys,POB 3908,Beijing 100039,Peoples R China.
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提交时间:2010/08/12
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Yang RX
;
Zhang FQ
;
Chen NF
;
Yang RX,Hebei Univ Technol,Tianjin 300130,Peoples R China.
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提交时间:2010/08/12
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期刊论文
作者:
Xu HZ
;
Takahashi K
;
Wang CX
;
Wang ZG
;
Okada Y
;
Kawabe M
;
Harrison I
;
Foxon CT
;
Xu HZ,Univ Tsukuba,Inst Appl Phys,Tsukuba,Ibaraki 3058573,Japan.
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提交时间:2010/08/12
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Xu HZ
;
Bell A
;
Wang ZG
;
Okada Y
;
Kawabe M
;
Harrison I
;
Foxon CT
;
Xu HZ,Univ Tsukuba,Inst Appl Phys,Tsukuba,Ibaraki 3058573,Japan.
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提交时间:2010/08/12
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Li LH
;
Pan Z
;
Zhang W
;
Lin YW
;
Wang XY
;
Wu RH
;
Li LH,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,State Key Lab Integrated Optoelect,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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提交时间:2010/08/12
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Chen Y
;
Li GH
;
Zhu ZM
;
Han HX
;
Wang ZP
;
Zhou W
;
Wang ZG
;
Chen Y,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Natl Lab Superlattices & Microstruct,Beijing 100083,Peoples R China.
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提交时间:2010/08/12
无权访问的条目
期刊论文
作者:
渠波
;
郑新和
;
王玉田
;
韩景仪
;
徐大鹏
;
林世鸣
;
杨辉
;
梁骏吾
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提交时间:2010/11/23