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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Li P;  Yang WL;  Tan PH;  Wen HH;  Zhao ZX;  Li P,Chinese Acad Sci,Inst Phys,Natl Lab Superconduct,POB 603,Beijing 100080,Peoples R China.
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Anisotropic strain in (100) ZnSe epilayers grown on lattice mismatched substrates 会议论文
JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B, 18 (4), SALT LAKE CITY, UTAH, JAN 16-20, 2000
作者:  Yang Z;  Sou IK;  Chen YH;  Yang Z Hong Kong Univ Sci & Technol Adv Mat Res Inst Clearwater Bay Kowloon Hong Kong Peoples R China.
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Reflectance Difference Spectroscopy  Znse/gaas Interface  States  Gaas  
Improvement of thin silicon on sapphire (SOS) film materials and device performances by solid phase epitaxy 会议论文
MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B-SOLID STATE MATERIALS FOR ADVANCED TECHNOLOGY, 72 (2-3), BEIJING, PEOPLES R CHINA, JUN 13-18, 1999
作者:  Wang QY;  Nie JP;  Yu F;  Liu ZL;  Yu YH;  Wang QY Chinese Acad Sci Inst Semicond Beijing 100083 Peoples R China.
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Solid Phase Epitaxy  SilicOn On Sapphire (Sos)  Carrier Mobility  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang JP;  Wang XL;  Sun DZ;  Kong MY;  Zhang JP,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Novel Mat Ctr,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Yang GW;  Hwu RJ;  Xu ZT;  Ma XY;  Yang GW,Univ Utah,Dept Elect Engn,Salt Lake City,UT 84112 USA.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang QY;  Nie JP;  Yu F;  Liu ZL;  Yu YH;  Wang QY,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liu SM;  Liu FQ;  Guo HQ;  Zhang ZH;  Wang ZG;  Liu SM,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Lab Semicond Mat Sci,Beijing 100083,Peoples R China. 电子邮箱地址: liushm@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang ZG(王占国)
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Cheng Buwen;  Li Daizong;  Huang Changjun;  Zhang Chunhui;  Yu Zhuo;  Wang Yutian;  Yu Jinzhong;  Yang Qinqing;  Wang Qiming
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