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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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作者
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收录类别:CPCI\-S
发表日期:2002
语种:英语
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Heteroepitaxial growth of novel SOI material Si/gamma-Al2O3/Si
会议论文
INTERNATIONAL JOURNAL OF MODERN PHYSICS B, 16 (28-29), XIAN, PEOPLES R CHINA, JUN 10-14, 2002
作者:
Wang QY
;
Tan LW
;
Wang J
;
Yu YH
;
Lin LY
;
Wang QY Chinese Acad Sci Inst Semicond Ctr Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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浏览/下载:1410/211
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提交时间:2010/11/15
Heteroepitaxial growth and annealing of gamma-Al2O3 thin films on silicon
会议论文
INTERNATIONAL JOURNAL OF MODERN PHYSICS B, 16 (28-29), XIAN, PEOPLES R CHINA, JUN 10-14, 2002
作者:
Tan LW
;
Wang J
;
Wang QY
;
Yu YH
;
Lin LY
;
Tan LW Chinese Acad Sci Inst Semicond Ctr Mat Sci Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/11/15
Epitaxial-growth
Al2o3
Si
Dielectric properties of Bi2Ti2O7 films grown on Si(100) substrate by APMOCVD
会议论文
FERROELECTRICS, 271, MADRID, SPAIN, SEP 03-07, 2001
作者:
Wang H
;
Shang SX
;
Yao WF
;
Hou Y
;
Xu XH
;
Wang D
;
Wang M
;
Yu JZ
;
Wang H Shandong Univ State Key Lab Crystal Mat Jinan 250100 Peoples R China.
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提交时间:2010/11/15
Bi2ti2o7
Thin Film
Mocvd
(111) Orientation
Chemical-vapor-deposition
Crystal Thin-films
Studies of 6H-SiC devices
会议论文
CURRENT APPLIED PHYSICS, 2 (5), SEOUL, SOUTH KOREA, DEC 05-09, 2001
作者:
Wang SR
;
Liu ZL
;
Wang SR Chinese Acad Sci Inst Semicond Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/11/15
Sic
Schottky
Pn Junction Diodes
Mos Capacitor
Junction Diodes
Growth and structural properties of GaN films on flat and vicinal SiC(0001) substrates
会议论文
INTERNATIONAL JOURNAL OF MODERN PHYSICS B, 16 (1-2), SINGAPORE, SINGAPORE, JUL 01-06, 2001
作者:
Xie MH
;
Cheung SH
;
Zheng LX
;
Tong SY
;
Zhang BS
;
Yang H
;
Xie MH Univ Hong Kong Dept Phys Pokfulam Rd Hong Kong Hong Kong Peoples R China.
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提交时间:2010/11/15
Molecular-beam Epitaxy
The influence of nitrogen clustering effect on optical transitions in GaInNAs/GaAs quantum wells
会议论文
INTERNATIONAL WORKSHOP ON NITRIDE SEMICONDUCTORS, PROCEEDINGS, AACHEN, GERMANY, JUL 22-25, 2002
作者:
Jiang DS
;
Liang XG
;
Sun BQ
;
Bian L
;
Li LH
;
Pan Z
;
Wu RG
;
Jiang DS Chinese Acad Sci Inst Semicond Natl Lab Superlattices & Microstruct POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/10/29
Luminescence
Localization
Optical study on the coupled GaAsSb/GaAs double quantum wells
会议论文
COMMAD 2002 PROCEEDINGS, SYDNEY, AUSTRALIA, DEC 11-13, 2002
作者:
Jiang DS
;
Liang XG
;
Chang K
;
Bian LF
;
Sun BQ
;
Wang JB
;
Johnson S
;
Zhang Y
;
Jiang DS Chinese Acad Sci Inst Semicond SKLSM Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/10/29
Lasers
Gain
Gaas