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| InGaN薄膜材料的MOCVD生长及物性研究 学位论文 , 北京: 中国科学院研究生院, 2010 作者: 郭严 Adobe PDF(26242Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1231/159  |  提交时间:2010/06/07 |
| 掺杂剂锌辅助的自催化法生长InN纳米棒材料的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN200910237095.8, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 宋华平; 杨安丽; 郭严; 魏鸿源; 刘祥林; 朱勤生; 杨少延; 王占国 Adobe PDF(400Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1442/243  |  提交时间:2011/08/31 |
| 利用非极性ZnO缓冲层生长非极性InN薄膜的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010157517.3, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 郑高林; 杨安丽; 宋华平; 郭严; 魏鸿源; 刘祥林; 朱勤生; 杨少延; 王占国 Adobe PDF(1109Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1292/206  |  提交时间:2011/08/31 |
| 一种生长高质量富In组分InGaN薄膜材料的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010157637.3, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 郭严; 宋华平; 郑高林; 魏鸿源; 刘祥林; 朱勤生; 杨少延; 王占国 Adobe PDF(378Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1330/262  |  提交时间:2011/08/31 |
| 集成傅里叶变换红外原位监测系统的原子层沉积装置 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102492939A, 公开日期: 2012-08-29, 2012-08-29, 2012-08-29 发明人: 张峰; 孙国胜; 王雷; 赵万顺; 刘兴昉; 闫果果; 曾一平 Adobe PDF(523Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1259/230  |  提交时间:2012/08/29 |
| 连续型HTCVD法碳化硅晶体生长装置 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102304763A, 公开日期: 2012-08-29, 2012-08-29, 2012-08-29 发明人: 刘兴昉; 郑柳; 董林; 闫果果; 王雷; 赵万顺; 孙国胜; 曾一平; 李晋闽 Adobe PDF(575Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:2597/485  |  提交时间:2012/08/29 |
| HTCVD法碳化硅晶体生长装置 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102304698A, 公开日期: 2012-08-29, 2012-08-29, 2012-08-29 发明人: 刘兴昉; 董林; 郑柳; 闫果果; 王雷; 赵万顺; 孙国胜; 曾一平; 李晋闽 Adobe PDF(621Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:2571/513  |  提交时间:2012/08/29 |
| 碳化硅PIN微结构的制作方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102254798A, 公开日期: 2012-08-29, 2012-08-29, 2012-08-29 发明人: 孙国胜; 吴海雷; 郑柳; 刘兴昉; 王雷; 赵万顺; 闫果果 Adobe PDF(312Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:2461/495  |  提交时间:2012/08/29 |