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| 一种制备金属铪薄膜材料的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-07-05, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 杨少延; 柴春林; 刘志凯; 陈涌海; 陈诺夫; 王占国
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| 一种制备金属锆薄膜材料的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-07-05, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 杨少延; 柴春林; 刘志凯; 陈涌海; 陈诺夫; 王占国
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| 利用离子束外延生长设备制备氮化锆薄膜材料的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-05-31, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 杨少延; 柴春林; 刘志凯; 陈涌海; 陈诺夫; 王占国
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| 利用离子束外延生长设备制备氮化铪薄膜材料的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-05-31, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 杨少延; 柴春林; 刘志凯; 陈涌海; 陈诺夫; 王占国
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| 在解理面上制作半导体纳米结构的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-01-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 陈涌海; 张春玲; 崔草香; 徐波 ; 金鹏; 刘峰奇; 王占国
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| 纳米半导体技术 专著
北京:化学工业出版社, 2006
作者: 王占国; 陈涌海; 叶小玲
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| 中国材料工程大典—信息功能材料工程 专著
北京:化学工业出版社, 2006
作者: 王占国; 陈立泉; 屠海令
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Su FH (Su Fu Hai); Wang WJ (Wang Wen Jie); Ding K (Ding Kun); Li GH (Li Guo Hua); Liu YF (Liu Yuangfang); Joly AG (Joly Alan G.); Chen W (Chen Wei); Chen, W, Univ Texas, Dept Phys, POB 19059, Arlington, TX 76019 USA. E-mail: weichen@uta.edu
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 李国华; 马宝珊; 王文杰; 苏付海; 丁琨; 赵建华; 邓加军; 蒋春萍
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 张燕; 龚海梅; 白云; 陈亮; 许金通; 汤英文; 游达; 赵德刚; 郭丽伟; 李向阳
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