|
已选(0)清除
条数/页： 排序方式： |
| 砷化铟和砷化镓的纳米结构及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 赵超; 徐波 ; 陈涌海; 金鹏; 王占国
 Adobe PDF(520Kb) |  收藏 | 浏览/下载：1454/225 | 提交时间：2009/06/11 |
| 二维纳米结构深刻蚀方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-01-09, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 马小涛; 郑婉华; 杨国华; 任刚; 陈良惠
Adobe PDF(404Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1254/199 | 提交时间：2009/06/11 |
| 半导体纳米结构及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-08-29, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 陈振
Adobe PDF(848Kb) | 收藏 | 浏览/下载：928/141 | 提交时间：2009/06/11 |
| 在解理面上制作半导体纳米结构的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-01-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 陈涌海; 张春玲; 崔草香; 徐波; 金鹏; 刘峰奇; 王占国
Adobe PDF(467Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1361/186 | 提交时间：2009/06/11 |
| 一种制备氧化锌纳米材料的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910237099.6, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 董敬敬; 张兴旺; 游经碧; 高云
Adobe PDF(454Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1526/251 | 提交时间：2011/08/31 |
| 具有纳米结构插入层的GaN基LED 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010183393.6, 公开日期: 2011-08-30
发明人: 朱继红; 张书明; 朱建军
Adobe PDF(355Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1328/156 | 提交时间：2011/08/30 |
| 一种InGaN半导体光电极的制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010263078.4, 公开日期: 2011-08-30
发明人: 王辉; 朱建军; 张书明; 杨辉
Adobe PDF(453Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1298/178 | 提交时间：2011/08/30 |
| 依赖晶面的三维限制硅纳米结构的制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200810224109.8, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 杨香; 韩伟华; 王颖; 张杨; 杨富华
Adobe PDF(396Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1533/249 | 提交时间：2011/08/31 |
| 一种制备硅纳米结构的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200810240932.8, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 张仁平; 张杨; 杨富华
Adobe PDF(422Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1434/217 | 提交时间：2011/08/31 |
| 在图形化的半导体衬底上制作有序半导体纳米结构的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010140985.X, 公开日期: 2011-08-31, 2011-08-31, 2011-08-31
发明人: 陈涌海; 刘建庆; 高云; 徐波; 张兴旺; 王占国
Adobe PDF(1860Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1186/34 | 提交时间：2011/08/31 |
