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| 砷化铟和砷化镓的纳米结构及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 赵超; 徐波 ; 陈涌海; 金鹏; 王占国
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| 二维纳米结构深刻蚀方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-01-09, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 马小涛; 郑婉华; 杨国华; 任刚; 陈良惠
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| 半导体纳米结构及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-08-29, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 陈振
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| 在解理面上制作半导体纳米结构的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-01-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 陈涌海; 张春玲; 崔草香; 徐波; 金鹏; 刘峰奇; 王占国
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| 一种制备氧化锌纳米材料的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910237099.6, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 董敬敬; 张兴旺; 游经碧; 高云
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| 具有纳米结构插入层的GaN基LED 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010183393.6, 公开日期: 2011-08-30
发明人: 朱继红; 张书明; 朱建军
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| 一种InGaN半导体光电极的制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010263078.4, 公开日期: 2011-08-30
发明人: 王辉; 朱建军; 张书明; 杨辉
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| 依赖晶面的三维限制硅纳米结构的制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200810224109.8, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 杨香; 韩伟华; 王颖; 张杨; 杨富华
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| 一种制备硅纳米结构的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200810240932.8, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 张仁平; 张杨; 杨富华
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| 在图形化的半导体衬底上制作有序半导体纳米结构的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010140985.X, 公开日期: 2011-08-31, 2011-08-31, 2011-08-31
发明人: 陈涌海; 刘建庆; 高云; 徐波; 张兴旺; 王占国
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