|
已选(0)清除
条数/页： 排序方式： |
| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Li WW (Li W. W.); Zhu JJ (Zhu J. J.); Liang JR (Liang J. R.); Hu ZG (Hu Z. G.); Liu J (Liu J.); Chen HD (Chen H. D.); Chu JH (Chu J. H.)
 Adobe PDF(772Kb) |  收藏 | 浏览/下载：849/253 | 提交时间：2012/02/21 |
| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Li WW (Li W. W.); Yu Q (Yu Q.); Liang JR (Liang J. R.); Jiang K (Jiang K.); Hu ZG (Hu Z. G.); Liu J (Liu J.); Chen HD (Chen H. D.); Chu JH (Chu J. H.)
Adobe PDF(1444Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1163/526 | 提交时间：2012/02/22 |
| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 周凯明; 李江; 李乙钢; 郭儒; 张光寅; 潘士宏; 李瑞钢; 朱战平; 梁基本
Adobe PDF(361Kb) | 收藏 | 浏览/下载：941/223 | 提交时间：2010/11/23 |
| 一种氮化镓基发光二极管的外延粗化方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102214739A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人: 李志聪 ; 姚然; 王兵; 梁萌; 李璟; 王国宏; 李晋闽
Adobe PDF(992Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1950/302 | 提交时间：2012/09/09 |
| 一种提高氮化镓基发光二极管抗静电能力的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102214740A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人: 李志聪; 姚然; 王兵; 梁萌; 李鸿渐; 李盼盼; 李璟; 王国宏; 李晋闽
Adobe PDF(1092Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1614/306 | 提交时间：2012/09/09 |
| 利用双成核层生长高质量氮化镓外延结构的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-04
发明人: 梁萌; 李鸿渐; 姚然; 李志聪; 李盼盼; 王兵; 李璟; 伊晓燕; 王军喜; 王国宏; 李晋闽
Adobe PDF(458Kb) | 收藏 | 浏览/下载：729/100 | 提交时间：2014/10/31 |
| 在图形衬底上生长氮化镓外延结构的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-04
发明人: 梁萌; 李鸿渐; 姚然; 李志聪; 李盼盼; 王兵; 李璟; 伊晓燕; 王军喜; 王国宏; 李晋闽
Adobe PDF(393Kb) | 收藏 | 浏览/下载：786/115 | 提交时间：2014/10/31 |
| 氮化物LED外延结构的生长方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-11
发明人: 梁萌; 李鸿渐; 姚然; 李志聪; 李盼盼; 王兵; 李璟; 伊晓燕; 王军喜; 王国宏; 李晋闽
Adobe PDF(290Kb) | 收藏 | 浏览/下载：721/114 | 提交时间：2014/10/31 |
