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1.3微米InGaAs/GaAs自组织量子点激光器材料及生长该材料的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2002-10-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  牛智川;  封松林;  杨富华;  王晓东;  汪辉;  李树英;  苗振华;  李树深
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Luo XD;  Hu CY;  Xu ZY;  Luo HL;  Wang YQ;  Wang JN;  Ge WK;  Luo XD,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,NLSM,Beijing 100083,Peoples R China.
Adobe PDF(59Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1086/393  |  提交时间:2010/08/12