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| 生长高迁移率氮化镓外延膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-12-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 王晓亮; 胡国新; 王军喜; 李建平; 曾一平; 李晋闽
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| 生长高阻氮化镓外延膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-12-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 王晓亮; 胡国新; 王军喜; 冉军学; 曾一平; 李晋闽
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| 氮化镓高电子迁移率晶体管的结构及制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-12-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 王晓亮; 胡国新; 王军喜; 曾一平; 李晋闽
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| 采用非平面工艺实现硅基二氧化硅波导偏振无关的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-09-21, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 安俊明; 李健; 郜定山; 夏君磊; 李建光; 王红杰; 胡雄伟
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| 用于实现光波导制备的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-09-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 李健; 安俊明; 郜定山; 王红杰; 李建光; 胡雄伟
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| 实现对称结构硅基二氧化硅应力光波导偏振不灵敏的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-01-26, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 安俊明; 李健; 郜定山; 夏君磊; 李建光; 王红杰; 胡雄伟
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| 用于实现光波导材料制备的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-01-26, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 李健; 郜定山; 安俊明; 李建光; 王红杰; 胡雄伟
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Hu ZH; Liao XB; Diao HW; Xia CF; Zeng XB; Hao HY; Kong GL; Hu, ZH, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: huzhihua@public.kin.yn.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 裴为华 ; 陈弘达; 唐君; 鲁琳; 刘金彬; 吴惠娟; 陈晶华; 胡小凤; 黎晓新; 李凯
Adobe PDF(496Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1169/303 | 提交时间：2010/11/23 |
| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 王兆阳; 胡礼中; 赵杰; 孙捷; 王志俊
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