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| 共振遂穿二极管与高电子迁移率晶体管器件制作方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-07-26, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 黄应龙; 杨富华; 王良臣; 王建林; 伊小燕; 马龙
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| 背孔结构氮化镓基发光二极管的制作方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-04-05, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 马龙; 王良臣; 王立彬; 郭金霞; 伊晓燕![](/image/person.jpg)
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| 无权访问的条目 期刊论文 作者: Wang J (Wang Jun); Ma XY (Ma Xiao-Yu); Bai YM (Bai Yi-Ming); Cao L (Cao Li); Wu DJ (Wu Da-Jin); Wang, J, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Natl Engn Res Ctr Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: dgunwung@sohu.com
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| 无权访问的条目 期刊论文 作者: 刘志强 ; 王良臣; 于丽娟 ; 郭金霞 ; 伊晓燕 ; 马龙; 王立彬; 陈宇
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| 无权访问的条目 期刊论文 作者: 伊晓燕 ; 郭金霞 ; 马龙; 王立彬; 陈宇; 刘志强 ; 王良臣
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