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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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研究单元&专题
中国科学院半导体研究... [4]
半导体材料科学中心 [1]
作者
陈良惠 [1]
文献类型
期刊论文 [3]
专利 [2]
发表日期
2006 [1]
1998 [1]
1997 [1]
1995 [1]
语种
中文 [5]
出处
半导体学报 [3]
资助项目
收录类别
CSCD [3]
资助机构
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一种增加闪锌矿结构锑化铬厚度的生长方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-11-22, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
赵建华
;
邓加军
;
毕京峰
;
牛智川
;
杨富华
;
吴晓光
;
郑厚植
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提交时间:2009/06/11
无权访问的条目
期刊论文
作者:
雷红兵
;
杨沁清
;
王启明
;
周必忠
;
肖方方
;
吴名枋
Adobe PDF(304Kb)
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浏览/下载:755/197
  |  
提交时间:2010/11/23
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Lei HB(雷红兵)
;
Yang QQ(杨沁清)
;
Wang QM(王启明)
;
Zhou BZ(周必忠)
Adobe PDF(171Kb)
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浏览/下载:716/223
  |  
提交时间:2010/11/23
无权访问的条目
期刊论文
作者:
徐遵图
;
杨国文
;
肖建伟
;
徐俊英
;
张敬明
;
郑婉华
;
瞿伟
;
陈良惠
;
毕可奎
Adobe PDF(114Kb)
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浏览/下载:1159/205
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提交时间:2010/11/23
氮化镓基高电子迁移率晶体管及制作方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102427084A, 公开日期: 2012-08-29, 2012-08-29, 2012-08-29
发明人:
王晓亮
;
毕杨
;
王翠梅
;
肖红领
;
冯春
;
姜丽娟
;
陈竑
Adobe PDF(570Kb)
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浏览/下载:2176/447
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提交时间:2012/08/29