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Quality improvement of GaInNAs/GaAs quantum wells grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy 会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 227, BEIJING, PEOPLES R CHINA, SEP 11-15, 2000
作者:  Li LH;  Pan Z;  Zhang W;  Lin YW;  Wang XY;  Wu RH;  Li LH Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelect POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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Characterization  Defects  X-ray Diffraction  Molecular Beam Epitaxy  Nitrides  Gaas  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Chen Z;  Lu DC;  Wang XH;  Liu XL;  Han PD;  Yuan HR;  Wang D;  Wang ZG;  He ST;  Li HL;  Yan L;  Chen XY;  Chen Z,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Lab Semicond Mat Sci,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Li LH;  Pan Z;  Zhang W;  Lin YW;  Wang XY;  Wu RH;  Li LH,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,State Key Lab Integrated Optoelect,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Li LH;  Pan Z;  Zhang W;  Lin YW;  Wang XY;  Wu RH;  Ge WK;  Li LH,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,State Key Lab Integrated Optoelect,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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