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| 一种单模高功率垂直腔面发射激光器及其制作方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-03-10, 2010-08-12 发明人: 渠红伟; 郑婉华; 刘安金; 王 科; 张冶金; 彭红玲; 陈良惠 Adobe PDF(1562Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:2080/299  |  提交时间:2010/08/12 |
| 一种双面键合长波长垂直腔面发射激光器及其制作方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-03-10, 2010-08-12 发明人: 渠红伟; 郑婉华; 刘安金; 王 科; 张冶金; 彭红玲; 陈良惠 Adobe PDF(2122Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1879/262  |  提交时间:2010/08/12 |
| 减小温度梯度的激光晶体 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-03-24, 2010-08-12 发明人: 李晋闽; 林学春; 熊 波; 侯 玮; 郭 林; 赵鹏飞; 韩泽华; 李瑞贤 Adobe PDF(522Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1764/303  |  提交时间:2010/08/12 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: Yang AL; Song HP; Wei HY; Liu XL; Wang J; Lv XQ; Jin P; Yang SY; Zhu QS; Wang ZG; Yang AL Chinese Acad Sci Inst Semicond Key Lab Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: alyang@semi.ac.cn; xlliu@semi.ac.cn Adobe PDF(278Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1362/529  |  提交时间:2010/03/08 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: Liang ZM; Jin C; Jin P; Wu J; Wang ZG; Liang ZM Chinese Acad Sci Inst Semicond Key Lab Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: lzhm4321@red.semi.ac.cn Adobe PDF(342Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1105/317  |  提交时间:2010/03/08 |
| 提高自组织量子点光学性质温度稳定性的材料结构 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-11-19, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 金灿; 金鹏; 王占国 Adobe PDF(304Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1461/213  |  提交时间:2009/06/11 |
| 在半导体衬底上制备有序砷化铟量子点的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-08-13, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 周慧英; 曲胜春; 金鹏; 徐波; 王赤云; 刘俊朋; 王智杰; 王占国 Adobe PDF(527Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1698/236  |  提交时间:2009/06/11 |
| 砷化铟和砷化镓的纳米结构及其制作方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 赵超; 徐波; 陈涌海; 金鹏; 王占国 Adobe PDF(520Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1453/225  |  提交时间:2009/06/11 |
| 一种量子点材料结构及其生长方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-03-19, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 焦玉恒; 吴巨; 徐波; 金鹏; 王占国 Adobe PDF(710Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1436/191  |  提交时间:2009/06/11 |
| 长波长砷化铟/砷化镓量子点材料 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-01-30, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 刘宁; 金鹏; 王占国 Adobe PDF(297Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1349/194  |  提交时间:2009/06/11 |