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Effects of polarization field on formation of two-dimensional electron gas in (0001) and (11(2)over-bar0) plane AlGaN/GaN heterostructures 会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 268 (3-4), Singapore, SINGAPORE, DEC 07-12, 2003
作者:  Chen Z;  Chua SJ;  Yuan HR;  Liu XL;  Lu DC;  Han PD;  Wang ZG;  Chen Z Singapore MIT Alliance AMMNS E4-04-10NUS4 Engn Dr3 Singapore 117576 Singapore. 电子邮箱地址: smacz@nus.edu.sg
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Metalorganic Chemical Vapor Deposition  Semiconducting Iii-v Materials  Doped Al(x)Ga1-xn/gan Heterostructures  Carrier Confinement  Effect Transistors  Photoluminescence  Mobility  Heterojunction  Interface  Hfets  
Microstructural and compositional characteristics of GaN films grown on a ZnO-buffered Si(111) wafer 会议论文
MICRON, 35 (6), Wuhan, PEOPLES R CHINA, OCT 17-21, 2003
作者:  Luo XH;  Wang RM;  Zhang XP;  Zhang HZ;  Yu DP;  Luo MC;  Wang RM Peking Univ Electron Microscopy Lab Beijing 100871 Peoples R China. 电子邮箱地址: rmwang@pku.edu.cn
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Transmission Electron Microscopy  Electron Energy Loss Spectroscopy  Molecular Beam Epitaxy  Gallium Nitride  Chemical-vapor-deposition  Epitaxy  Layer  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhao Q;  Li JC;  Zhou H;  Wang H;  Wang B;  Yan H;  Zhao, Q, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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Study of infrared luminescence from Er-implanted GaN films 会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 268 (3-4), Singapore, SINGAPORE, DEC 07-12, 2003
作者:  Chen WD;  Song SF;  Zhu JJ;  Wang XL;  Chen CY;  Hsu CC;  Chen WD Chinese Acad Sci Inst Semicond POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. 电子邮箱地址: wdchen@red.semi.ac.cn
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Doping  Metalorganic Chemical Vapor Deposition  Molecular Beam Epitaxy  Gallium Compounds  Semiconducting Gallium Compounds  Erbium  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Lu Y;  Cong GW;  Liu XL;  Lu DC;  Zhu QS;  Wang XH;  Wu JJ;  Wang ZG;  Lu, Y, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: yuanlu@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Luo, XH;  Wang, RM;  Zhang, XP;  Zhang, HZ;  Yu, DP;  Luo, MC;  Wang, RM, Peking Univ, Electron Microscopy Lab, Beijing 100871, Peoples R China. 电子邮箱地址: rmwang@pku.edu.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Chen, Z;  Chua, SJ;  Yuan, HR;  Liu, XL;  Lu, DC;  Han, PD;  Wang, ZG;  Chen, Z, Singapore MIT Alliance, AMMNS, E4-04-10,NUS,4 Engn Dr,3, Singapore 117576, Singapore. 电子邮箱地址: smacz@nus.edu.sg
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zeng, XB;  Liao, XB;  Wang, B;  Dai, ST;  Xu, YY;  Xiang, XB;  Hu, ZH;  Diao, HW;  Kong, GL;  Zeng, XB, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Surface Phys, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: xbzeng@mail.semi.ac.cn
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Growth and characterization of 4H-SiC by horizontal hot-wall CVD 会议论文
SMIC-XIII 2004 13th International Conference on Semiconducting & Insulating Materials, Beijing, PEOPLES R CHINA, SEP 20-25, 2004
作者:  Sun, GS;  Gao, X;  Wang, L;  Zhao, WS;  Zeng, YP;  Li, JM;  Sun, GS, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Semicond Mat Lab, Beijing 100083, Peoples R China.
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Chemical-vapor-deposition