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AlGaN/GaN电力电子器件的设计、制备与可靠性分析 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2018
作者:  梁亚楠
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Yanan Liang;  Lifang Jia;  Zhi He;  Zhongchao Fan;  Yun Zhang;  Fuhua Yang
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一种新型GaN基增强型HEMT器件及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-08-30
发明人:  贾利芳;  何志;  刘志强;  李迪;  樊中朝;  程哲;  梁亚楠;  王晓东;  杨富华
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一种新型GaN基增强型HEMT器件及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-08-30
发明人:  贾利芳;  何志;  刘志强;  李迪;  樊中朝;  程哲;  梁亚楠;  王晓东;  杨富华
Adobe PDF(571Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：604/5  |  提交时间：2016/08/30