SEMI OpenIR

浏览/检索结果: 共10条,第1-10条 帮助

限定条件                
已选(0)清除 条数/页:   排序方式:
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Y. Tian ;   C. Zhang ;   C. Xiao ;   R. Wang ;   L. Xu ;   X. Devaux ;   Pierre Renucci ;   B. Xu ;   S. Liang ;   C. Yang ;   Y. Lu
Adobe PDF(6496Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:47/0  |  提交时间:2020/07/30
宽带可调谐DBR激光器的研制 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2018
作者:  解潇
Adobe PDF(17295Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:584/56  |  提交时间:2018/05/22
宽带可调谐dbr激光器  同一有源技术  数据传输  
无权访问的条目 学位论文
作者:  崔晓
Adobe PDF(3797Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:596/49  |  提交时间:2014/05/30
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Lin DF (Lin D. F.);  Wang XL (Wang X. L.);  Xiao HL (Xiao H. L.);  Wang CM (Wang C. M.);  Qiang LJ (Qiang L. J.);  Feng C (Feng C.);  Chen H (Chen H.);  Hou QF (Hou Q. F.);  Deng QW (Deng Q. W.);  Bi Y (Bi Y.);  Kang H (Kang H.)
Adobe PDF(586Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:978/209  |  提交时间:2012/02/21
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zheng XH (Zheng X. H.);  Huang AP (Huang A. P.);  Xiao ZS (Xiao Z. S.);  Yang ZC (Yang Z. C.);  Wang M (Wang M.);  Zhang XW (Zhang X. W.);  Wang WW (Wang W. W.);  Chu PK (Chu Paul K.);  Huang, AP, BeihangUniv, DeptPhys, Beijing 100191, Peoples R China. 电子邮箱地址: aphuang@buaa.edu.cn
Adobe PDF(360Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1338/526  |  提交时间:2010/11/14
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Yang ZC (Yang Z. C.);  Huang AP (Huang A. P.);  Zheng XH (Zheng X. H.);  Xiao ZS (Xiao Z. S.);  Liu XY (Liu X. Y.);  Zhang XW (Zhang X. W.);  Chu PK (Chu Paul K.);  Wang WW (Wang W. W.);  Yang, ZC, BeihangUniv, DeptPhys, Beijing 100191, Peoples R China. 电子邮箱地址: aphuang@buaa.edu.cn
Adobe PDF(186Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1082/452  |  提交时间:2010/11/14
实现半导体量子阱结构带隙蓝移的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-08-07
发明人:  黄永光;  朱洪亮;  崔晓
Adobe PDF(566Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:686/71  |  提交时间:2014/11/17
一种H2微刻蚀进行碳化硅离子激活的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-08-30
发明人:  刘胜北;  何志;  刘斌;  刘兴昉;  杨香;  樊中朝;  王晓峰;  王晓东;  赵永梅;  杨富华;  孙国胜;  曾一平
Adobe PDF(349Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:667/0  |  提交时间:2016/08/30
一种碳化硅欧姆接触电极及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-29
发明人:  刘胜北;  何志;  刘斌;  杨香;  刘兴昉;  张峰;  王雷;  田丽欣;  刘敏;  申占伟;  赵万顺;  樊中朝;  王晓峰;  王晓东;  赵永梅;  杨富华;  孙国胜;  曾一平
Adobe PDF(1167Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:744/0  |  提交时间:2016/09/29
一种去除碳化硅等离子体刻蚀形成的刻蚀损伤层的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-28
发明人:  刘胜北;  何志;  刘斌;  刘兴昉;  杨香;  樊中朝;  王晓峰;  王晓东;  赵永梅;  杨富华;  孙国胜;  曾一平
Adobe PDF(568Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:555/3  |  提交时间:2016/09/28