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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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研究单元&专题
中科院半导体材料科学... [8]
作者
魏鸿源 [2]
宋华平 [2]
李路 [1]
文献类型
专利 [5]
期刊论文 [3]
发表日期
2013 [2]
2010 [1]
语种
中文 [3]
英语 [3]
出处
CHINESE PH... [1]
Nanoscale ... [1]
Scientific... [1]
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专题:中科院半导体材料科学重点实验室
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期刊论文
作者:
Kongyi Li , Weiying Wang , Zhanghai Chen , Na Gao , Weihuang Yang , Wei Li , Hangyang Chen ,Shuping Li , Heng Li , Peng Jin & Junyong Kang
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浏览/下载:544/89
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提交时间:2014/03/18
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Shujie Wu, Yonghai Chen, Jinling Yu, Hansong Gao, Chongyun Jiang, Jianliang Huang, Yanhua Zhang, Yang Wei, Wenquan Ma
Adobe PDF(1121Kb)
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浏览/下载:454/106
  |  
提交时间:2014/03/17
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Guo Y (Guo Yan)
;
Liu XL (Liu Xiang-Lin)
;
Song HP (Song Hua-Ping)
;
Yang AL (Yang An-Li)
;
Zheng GL (Zheng Gao-Lin)
;
Wei HY (Wei Hong-Yuan)
;
Yang SY (Yang Shao-Yan)
;
Zhu QS (Zhu Qin-Sheng)
;
Wang ZG (Wang Zhan-Guo)
;
Guo, Y, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail Address: guoyan@semi.ac.cn
;
xlliu@semi.ac.cn
Adobe PDF(536Kb)
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浏览/下载:1465/374
  |  
提交时间:2010/07/05
利用非极性ZnO缓冲层生长非极性InN薄膜的方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010157517.3, 公开日期: 2011-08-31
发明人:
郑高林
;
杨安丽
;
宋华平
;
郭严
;
魏鸿源
;
刘祥林
;
朱勤生
;
杨少延
;
王占国
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浏览/下载:1423/206
  |  
提交时间:2011/08/31
锥形光子晶体量子级联激光器及其制作方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910237094.3, 公开日期: 2011-08-31
发明人:
张伟
;
王利军
;
刘俊岐
;
李路
;
张全德
;
陆全勇
;
高瑜
;
刘峰奇
;
王占国
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浏览/下载:1457/221
  |  
提交时间:2011/08/31
一种生长高质量富In组分InGaN薄膜材料的方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010157637.3, 公开日期: 2011-08-31
发明人:
郭严
;
宋华平
;
郑高林
;
魏鸿源
;
刘祥林
;
朱勤生
;
杨少延
;
王占国
Adobe PDF(378Kb)
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浏览/下载:1423/262
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提交时间:2011/08/31
采用等离激元效应制备反型聚合物太阳电池的方法
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-08-01
发明人:
宋维
;
张兴旺
;
高红丽
;
尹志岗
Adobe PDF(346Kb)
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浏览/下载:805/103
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提交时间:2014/10/29
材料的微区应力测试系统
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-07-23
发明人:
高寒松
;
陈涌海
;
刘雨
;
张宏毅
;
黄威
;
朱来攀
;
李远
;
邬庆
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浏览/下载:1023/117
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提交时间:2014/11/24