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一种高质量InN薄膜的获取方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-10-10, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  张日清;  康亭亭;  刘祥林
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  胡卫国;  魏鸿源;  焦春美;  康亭亭;  张日清;  刘祥林
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Kang TT (Kang Ting-Ting);  Liu X (Liu Xianglin);  Zhang RQ (Zhang Ri Q.);  Hu WG (Hu Wei G.);  Cong G (Cong Guangwei);  Zhao FA (Zhao Feng-Ai);  Zhu Q (Zhu Qinsheng);  Kang, TT, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: ktt219@163.com
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半导体致冷材料与器件 成果
1991
主要完成人:  陈廷杰;  彭少近;  张韵琴;  唐代维;  郑秉茹;  李瑞云
收藏  |  浏览/下载：1349/0  |  提交时间：2010/04/13
半导体致冷  
半导体制冷技术和设备 成果
1990
主要完成人:  陈廷杰;  彭少近;  张韵秦;  唐代维;  郑秉茹
收藏  |  浏览/下载：1193/0  |  提交时间：2010/04/13