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| 在锗衬底上生长无反相畴砷化镓薄膜的分子束外延方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-01-13, 2010-08-12
发明人: 王鹏飞; 吴东海; 吴兵朋; 熊永华; 詹 峰; 黄社松; 倪海桥; 牛智川
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 陈方雄; 林敏; 石寅
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 陈方雄; 林敏; 陈备; 贾海珑; 石寅; 代伐
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 郭杰; 孙维国; 陈慧娟; 彭震宇; 鲁正雄; 郝瑞亭; 周志强; 许应强; 牛智川
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| 具有大绝对带隙的二维光子晶体 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-06-13, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 龚春娟; 胡雄伟
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| 正方晶格二维光子晶体 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-05-30, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 龚春娟; 胡雄伟
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| 砷化镓基1.5微米量子阱结构及其外延生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-04-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 牛智川; 倪海桥; 韩勤; 张石勇; 吴东海; 赵欢; 杨晓红; 彭红玲; 周志强; 熊永华; 吴荣汉
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 许兴胜; 熊志刚; 金爱子; 陈弘达; 张道中
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 龚春娟; 胡雄伟
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| 紫外激光写入制备高折射率差二氧化硅波导的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-03-15, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 夏君磊; 吴远大; 安俊明; 郜定山; 李健; 龚春娟; 胡雄伟
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