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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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专题:中国科学院半导体研究所(2009年前)
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AlInGaN四元合金的MOCVD生长及InGaN/AlInGaN LED器件性能研究
学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2009
作者:
刘乃鑫
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提交时间:2009/04/13
Characterization of AlGaN on GaN template grown by MOCVD - art. no. 68410K
会议论文
SOLID STATE LIGHTING AND SOLAR ENERGY TECHNOLOGIES, Beijing, PEOPLES R CHINA, NOV 12-14, 2007
作者:
Yan, JC
;
Wang, JX
;
Liu, NX
;
Liu, Z
;
Li, JM
;
Yan, JC, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, R&D Ctr Semicond Lighting, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2010/03/09
Algan
Gan Template
A1n Interlayer
Mocvd
Crack
Interference Fringes
AlGaN layers grown on AlGaN buffer layer and GaN buffer layer using strain-relief interlayers - art. no. 68410S
会议论文
SOLID STATE LIGHTING AND SOLAR ENERGY TECHNOLOGIES, Beijing, PEOPLES R CHINA, NOV 12-14, 2007
作者:
Liu, NX
;
Yan, JC
;
Liu, Z
;
Ma, P
;
Wang, JX
;
Li, JM
;
Liu, NX, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China.
Adobe PDF(370Kb)
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提交时间:2010/03/09
Algan
Ht-algan Buffer
Ht-interlayers
Ultraviolet (Uv) Led
High Quality AlGaN Grown on GaN Template with HT-AlN Interlayer
会议论文
2008 9TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON SOLID-STATE AND INTEGRATED-CIRCUIT TECHNOLOGY, Beijing, PEOPLES R CHINA, OCT 20-23, 2008
作者:
Yan, JC
;
Wang, JX
;
Liu, Z
;
Liu, NX
;
Li, JM
;
Yan, JC, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, R&D Ctr Semicond Lighting, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2010/03/09
Diodes
无权访问的条目
期刊论文
作者:
刘超
;
王欣
;
袁海庆
;
钟宝嗾
;
祝宁暶
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提交时间:2010/11/23
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Wang HY
;
Zhao FA
;
Chen NX
;
Liu G
;
Wang, HY, Tsing Hua Univ, Dept Phys, Beijing 100084, Peoples R China. 电子邮箱地址: wanghuaiyu@mail.tsinghua.edu.cn
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提交时间:2010/03/17