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| 边发射二维光子晶体分布反馈量子级联激光器及制备方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-03-17, 2010-08-12 发明人: 陆全勇; 张 伟; 王利军; 高 瑜; 尹 雯; 张全德; 刘万峰; 刘峰奇; 王占国
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| 集成肋片式红外半导体激光器结构 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-01-20, 2010-08-12 发明人: 刘俊岐; 刘峰奇; 李 路; 王利军; 王占国
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| 单模量子级联激光器线阵列结构 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-03-03, 2010-08-12 发明人: 高 瑜; 刘峰奇; 刘俊岐; 王占国
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| 在金属衬底上生长ZnO薄膜的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2009-03-18, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 崔军朋; 段垚; 王晓峰; 曾一平
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| 在Si衬底上生长ZnO薄膜的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2009-03-18, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 崔军朋; 段垚; 王晓峰; 曾一平
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| 用于氮化物外延生长的纳米级图形衬底的制作方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2009-02-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 闫发旺; 高海永; 樊中朝; 李晋闽; 曾一平; 王国宏; 张会肖; 王军喜; 张扬
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| 氧化物的化学气相沉积制备装置及制备方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2009-01-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 段垚; 王晓峰; 崔军朋; 曾一平
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| 无权访问的条目 期刊论文 作者: He J ; Li F; Feng L; Xiao H; Liu YL; He J Chinese Acad Sci Inst Semicond Optoelect Syst Lab A35,QingHua E Rd,POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: hejun07@semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文 作者: Li J (Li Jun); Chang K (Chang Kai); Peeters FM (Peeters F. M.); Li, J, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, SKLSM, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: kchang@red.semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文 作者: 冉启江; 韩培德 ; 全宇军; 高利朋 ; 曾凡平; 赵春华
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