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| 具有外加磁场的深能级瞬态谱样品台装置及其测量方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2007-07-11, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 卢励吾; 张砚华; 葛惟昆 Adobe PDF(734Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1238/142  |  提交时间:2009/06/11 |
| 具有外加磁场的深能级瞬态谱测量装置与测量方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-03-29, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 卢励吾; 张砚华; 葛惟昆 Adobe PDF(635Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1172/157  |  提交时间:2009/06/11 |
| 带有外加磁场的深能级测量样品架装置 专利 专利类型: 实用新型, 申请日期: 2004-10-06, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 卢励吾; 张砚华; 葛惟昆 Adobe PDF(267Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1225/187  |  提交时间:2009/06/11 |
| 半导体材料电信号测试装置 专利 专利类型: 实用新型, 申请日期: 2003-07-16, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 张砚华; 卢励吾; 葛惟昆 Adobe PDF(261Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1419/158  |  提交时间:2009/06/11 |
| 一种可见光通信控制系统及其实现方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010235019.6, 公开日期: 2011-08-30 发明人: 陈弘达; 张建昆; 陈雄斌; 朱琳; 刘博; 杨宇 Adobe PDF(361Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1461/249  |  提交时间:2011/08/30 |
| 半导体晶体管结构及其制造方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102280454A, 公开日期: 2012-09-07, 2011-12-14, 2012-09-07 发明人: 张严波; 韩伟华; 杜彦东; 李小明; 陈艳坤; 杨香; 杨富华 Adobe PDF(941Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1533/342  |  提交时间:2012/09/07 |
| 硅纳米线光栅谐振增强型光电探测器及其制作方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102201483A, 公开日期: 2012-09-07, 2011-09-28, 2011-09-28, 2012-09-07 发明人: 韩伟华; 陈燕坤; 李小明; 张严波; 杜彦东; 杨富华 Adobe PDF(547Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1557/343  |  提交时间:2012/09/07 |
| 一种基于体硅材料的无结硅纳米线晶体管及其制备方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2013-02-06 发明人: 李小明; 韩伟华; 张严波; 颜伟; 杜彦东; 陈燕坤; 杨富华 Adobe PDF(1354Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:962/91  |  提交时间:2014/10/24 |
| 生长半极性GaN厚膜的方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2014-03-19 发明人: 羊建坤; 魏同波; 霍自强; 张勇辉; 胡强; 段瑞飞; 王军喜 Adobe PDF(1673Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:969/50  |  提交时间:2014/10/31 |
| 栅压自举开关电路 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2012-12-19 发明人: 马波; 袁凌; 曹晓东; 张强; 郝志坤; 石寅 Adobe PDF(493Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1120/125  |  提交时间:2014/10/24 |