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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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生长InP基InAs量子阱的方法
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-03-20, 2013-03-20
发明人:
季海铭
;
罗帅
;
杨涛
Adobe PDF(434Kb)
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浏览/下载:939/102
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提交时间:2014/10/24
制作砷化铟/磷化铟量子点激光器有源区的方法
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-09-19
发明人:
罗帅
;
季海铭
;
杨涛
Adobe PDF(361Kb)
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收藏
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浏览/下载:812/79
  |  
提交时间:2014/10/28
锑作为表面活性剂的InP基InAs量子阱材料的生长方法
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-05-01
发明人:
季海铭
;
罗帅
;
杨涛
Adobe PDF(292Kb)
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收藏
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浏览/下载:804/112
  |  
提交时间:2014/12/25
制作宽光谱砷化铟/磷化铟量子点激光器有源区的方法
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-28
发明人:
杨涛
;
高凤
;
罗帅
;
季海铭
Adobe PDF(531Kb)
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浏览/下载:669/30
  |  
提交时间:2016/09/28
大晶格失配可调谐量子阱激光器外延芯片的制作方法
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-28
发明人:
罗帅
;
季海铭
;
杨涛
Adobe PDF(446Kb)
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浏览/下载:595/6
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提交时间:2016/09/28