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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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提交时间:2010/11/23
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唐志芳
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时海涛
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鲁华祥
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期刊论文
作者:
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提交时间:2010/11/23
在衬底上生长异变缓冲层的方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102194671A, 公开日期: 2012-08-29, 2011-09-21, 2012-08-29
发明人:
贺继方
;
尚向军
;
倪海桥
;
王海莉
;
李密峰
;
朱岩
;
王莉娟
;
喻颖
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贺正宏
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徐应强
;
牛智川
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提交时间:2012/08/29