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在Si基片上生长高密度超小型Ge量子点的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-03-15, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  时文华;  李传波;  王容伟;  罗丽萍;  王启明
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  时文华;  李传波;  王启明
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  王德煌;  王威礼;  庄婉如;  林雯华
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  庄婉如;  林雯华;  杨培生;  李任;  石志文;  赵一兵;  孙富荣;  高俊华;  刘涛
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