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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Su SJ;  Wang W;  Zhang GZ;  Hu WX;  Bai AQ;  Xue CL;  Zuo YH;  Cheng BW;  Wang QM;  Cheng, BW, Chinese Acad Sci, State Key Lab Integrated Optoelect, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. cbw@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  黄永箴;  王世江;  杨跃德;  肖金龙;  胡永红;  杜云
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GeSn合金的外延生长方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910088391.6, 公开日期: 2011-08-30
发明人:  成步文;  薛春来;  左玉华;  汪巍;  胡炜玄;  苏少坚;  白安琪;  薛海韵
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在Si衬底上分子束外延生长GeSn合金的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010231169.X, 公开日期: 2011-08-30, 2011-08-30, 2011-08-30
发明人:  苏少坚;  汪巍;  成步文;  王启明;  张广泽;  胡炜玄;  白安琪;  薛春来;  左玉华
Adobe PDF(307Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1381/110  |  提交时间：2011/08/30