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嵌入 InAs 量子点的 GaAs 电池的光伏特性研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2013
作者:  尚向军
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稀磁半导体(Ga,Mn)As的磁光性质研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2013
作者:  黄学骄
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在衬底上生长异变缓冲层的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102194671A, 公开日期: 2012-08-29, 2011-09-21, 2012-08-29
发明人:  贺继方;  尚向军;  倪海桥;  王海莉;  李密峰;  朱岩;  王莉娟;  喻颖;  贺正宏;  徐应强;  牛智川
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