中文版 | English

在结果中检索

SEMI OpenIR

浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助

限定条件    
已选(0)清除 条数/页：   排序方式：
用于氮化物外延生长的纳米级图形衬底的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-02-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  闫发旺;  高海永;  樊中朝;  李晋闽;  曾一平;  王国宏;  张会肖;  王军喜;  张扬
Adobe PDF(556Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1770/269  |  提交时间：2009/06/11
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Yang ZC;  Huang AP;  Yan L;  Xiao ZS;  Zhang XW;  Chu PK;  Wang WW;  Huang AP Beihang Univ Dept Phys Beijing 100191 Peoples R China. E-mail Address: aphuang@buaa.edu.cn
Adobe PDF(184Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1862/752  |  提交时间：2010/03/08
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Yu HL;  Zhang XM;  Wang PF;  Ni HQ;  Niu ZC;  Lai TS;  Niu ZC Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Superlattices & Microstruct Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: zcniu@red.semi.ac.cn;  stslts@mail.sysu.edu.cn
Adobe PDF(224Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：990/305  |  提交时间：2010/03/08
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Li T;  Zhu YG;  Zhang XH;  Ma SS;  Wang PF;  Niu ZC;  Li T Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Superlattices & Microstruct Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: xinhuiz@semi.ac.cn
Adobe PDF(366Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1019/264  |  提交时间：2010/03/08