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| 一种绝缘体上的硅基槽缝式光波导耦合器及其制作方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2009-06-10, 公开日期: 3997 发明人: 刘 艳; 余金中 Adobe PDF(650Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1331/271  |  提交时间:2010/03/19 |
| 利用准分子激光退火制作SiGe或Ge量子点的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2009-03-04, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 韩根全; 曾玉刚; 余金中 Adobe PDF(295Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1188/204  |  提交时间:2009/06/11 |
| 利用UHV/CVD低温生长SiGe材料的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2009-03-04, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 韩根全; 曾玉刚; 余金中 Adobe PDF(366Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1323/231  |  提交时间:2009/06/11 |
| 用于氮化物外延生长的纳米级图形衬底的制作方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2009-02-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 闫发旺; 高海永; 樊中朝; 李晋闽; 曾一平; 王国宏; 张会肖; 王军喜; 张扬 Adobe PDF(556Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1596/269  |  提交时间:2009/06/11 |
| 高均匀性(In)GaAsP/(AlGa)0.5In0.5P外延片的生长方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2009-02-04, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 仲莉; 马骁宇 Adobe PDF(863Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1018/151  |  提交时间:2009/06/11 |
| 780nm~850nm无铝激光器外延片的生长方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2009-02-04, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 仲莉; 马骁宇 Adobe PDF(732Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1069/185  |  提交时间:2009/06/11 |