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在镓砷衬底上生长铟砷锑薄膜的液相外延生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-06-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  彭长涛;  陈诺夫;  吴金良;  陈晨龙
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Ma L (Ma Long);  Huang YL (Huang Ying-Long);  Zhang Y (Zhang Yang);  Yang FH (Yang Fu-Hua);  Wang LC (Wang Liang-Chen);  Ma, L, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Engn Res Ctr Semicond Integrated Technol, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: malong@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Ma L (Ma Long);  Huang YL (Huang Ying-Long);  Zhang Y (Zhang Yang);  Wang LC (Wang Liang-Chen);  Yang FH (Yang Fu-Hua);  Zeng YP (Zeng Yi-Ping);  Ma, L, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Engn Res Ctr Semicond Integrat Technol, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: malong@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Ma Long;  Huang Yinglong;  Zhang Yang;  Wang Liangchen;  Yang Fuhua;  Zeng Yiping
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