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| 用磁控溅射法在镓砷衬底上外延生长铟砷锑薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-11-22, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 彭长涛; 陈诺夫; 吴金良; 尹志冈; 杨霏
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| 在解理面上制作半导体纳米结构的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-01-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 陈涌海; 张春玲; 崔草香; 徐波 ; 金鹏; 刘峰奇; 王占国
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Shu Q; Shu YC; Zhang GJ; Liu RB; Yao JH; Pi B; Xing XD; Lin YW; Xu JJ; Wang ZG; Shu, YC, Nankai Univ, Minist Educ, Key Lab Adv Tech & Fabricat Weak Light Nonlinear, Tianjin 300457, Peoples R China. E-mail: shuyc@nankai.edu.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Xu XS; Xiong ZG; Sun ZH; Du W; Lu L; Chen HD; Jin AZ; Zhang DZ; Xu, XS, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: xsxu@red.semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 张冠杰; 徐波; 陈涌海; 姚江宏; 林耀望; 舒永春; 皮彪; 邢晓东; 刘如彬; 舒强; 王占国; 许京军
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 许兴胜; 熊志刚; 孙增辉; 杜伟; 鲁琳; 陈弘达; 金爱子; 张道中
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 张冠杰; 陈涌海; 姚江宏; 舒强; 刘如彬; 舒永春; 王占国; 许京军
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 姜其畅; 卓壮; 王勇刚; 李健; 苏艳丽; 马骁宇; 张志刚; 王清月
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