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| 一种多孔磷化铟的电化学池及电化学腐蚀体系及方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-12-28, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 车晓玲; 刘峰奇; 黄秀颀; 雷文; 刘俊岐; 王占国
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| 湿法腐蚀两步法制备超薄柔性硅衬底的腐蚀工艺 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-11-16, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 王晓峰; 曾一平; 孙国胜; 黄风义; 王雷; 赵万顺
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Huang, XQ; Wang, YL; Li, L; Liang, L; Liu, FQ; Liu, FQ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: fqliu@red.semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 刘玉敏; 俞重远; 杨红波; 黄永箴
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 黄家乐; 毛陆虹; 陈弘达; 高鹏; 刘金彬; 雷晓荃
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 黄秀颀; 刘峰奇; 车晓玲; 刘俊岐 ; 雷文; 王占国
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 刘玉敏; 俞重远; 杨红波; 黄永箴
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 杨红波; 俞重远; 刘玉敏; 黄永箴
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 刘玉敏; 俞重远; 杨红波; 黄永箴
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