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在硅衬底上生长无裂纹Ⅲ族氮化物薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-08-10, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  陆沅;  刘祥林;  陆大成;  王晓晖;  王占国
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  陈诚;  祝宁华;  袁海庆
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  徐渊;  杨波;  朱明程;  刘忠立
Adobe PDF(404Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1007/175  |  提交时间：2010/11/23