×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
×
登录
中文版
|
English
中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
ALL
ORCID
题名
作者
学科领域
关键词
文献类型
出处
收录类别
出版者
发表日期
存缴日期
资助项目
学科门类
学习讨论厅
图片搜索
粘贴图片网址
首页
研究单元&专题
作者
文献类型
学科分类
知识图谱
新闻&公告
在结果中检索
研究单元&专题
中国科学院半导体研究... [6]
作者
文献类型
会议论文 [6]
发表日期
2002 [6]
语种
英语 [6]
出处
INTERNATIO... [2]
2002 12TH ... [1]
IMPACT OF ... [1]
MATERIALS ... [1]
SILICON CA... [1]
资助项目
收录类别
CPCI-S [6]
资助机构
Chinese Ma... [2]
Comm Space... [1]
IEE.; Slov... [1]
会议赞助商: Sci... [1]
×
知识图谱
SEMI OpenIR
开始提交
已提交作品
待认领作品
已认领作品
未提交全文
收藏管理
QQ客服
官方微博
反馈留言
浏览/检索结果:
共6条,第1-6条
帮助
限定条件
收录类别:CPCI\-S
发表日期:2002
语种:英语
已选(
0
)
清除
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
题名升序
题名降序
WOS被引频次升序
WOS被引频次降序
发表日期升序
发表日期降序
提交时间升序
提交时间降序
作者升序
作者降序
期刊影响因子升序
期刊影响因子降序
Space-grown SI-GaAs and its application
会议论文
2002 12TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON SEMICONDUCTING & INSULATING MATERIALS, SMOLENICE, SLOVAKIA, JUN 30-JUL 05, 2002
作者:
Chen NF
;
Zhong XG
;
Zhang M
;
Lin LY
;
Chen NF Chinese Acad Sci Inst Semicond Lab Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
Adobe PDF(239Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:1969/365
  |  
提交时间:2010/10/29
Semiinsulating Gallium-arsenide
Floating-zone Growth
Crystal-growth
Zero Gravity
Microgravity
Segregation
Stoichiometry
Silicon
Defects
Insb
Heteroepitaxial growth of novel SOI material Si/gamma-Al2O3/Si
会议论文
INTERNATIONAL JOURNAL OF MODERN PHYSICS B, 16 (28-29), XIAN, PEOPLES R CHINA, JUN 10-14, 2002
作者:
Wang QY
;
Tan LW
;
Wang J
;
Yu YH
;
Lin LY
;
Wang QY Chinese Acad Sci Inst Semicond Ctr Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
Adobe PDF(754Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:1473/211
  |  
提交时间:2010/11/15
Heteroepitaxial growth and annealing of gamma-Al2O3 thin films on silicon
会议论文
INTERNATIONAL JOURNAL OF MODERN PHYSICS B, 16 (28-29), XIAN, PEOPLES R CHINA, JUN 10-14, 2002
作者:
Tan LW
;
Wang J
;
Wang QY
;
Yu YH
;
Lin LY
;
Tan LW Chinese Acad Sci Inst Semicond Ctr Mat Sci Beijing 100083 Peoples R China.
Adobe PDF(860Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:1496/203
  |  
提交时间:2010/11/15
Epitaxial-growth
Al2o3
Si
Characterization of defects and whole wafer uniformity of annealed undoped semi-insulating InP wafers
会议论文
MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B-SOLID STATE MATERIALS FOR ADVANCED TECHNOLOGY, 91, RIMINI, ITALY, SEP 24-28, 2001
作者:
Zhao YW
;
Sun NF
;
Dong HW
;
Jiao JH
;
Zhao JQ
;
Sun TN
;
Lin LY
;
Sun NF Hebei Semicond Res Inst POB 179-40 Shijiazhuang 050002 Hebei Peoples R China.
Adobe PDF(179Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:1711/289
  |  
提交时间:2010/11/15
Indium Phosphide
Semi-insulating
Annealing
Picts
Photoluminescence
Semiinsulating Inp
Indium-phosphide
Fe
Photoluminescence
Temperature
Space grown semi-insulating gallium arsenide single crystal and its application
会议论文
IMPACT OF THE GRAVITY LEVEL ON MATERIALS PROCESSING AND FLUID DYNAMICS, 29 (4), WARSAW, POLAND, JUL, 2000
作者:
Chen NF
;
Zhong XR
;
Zhang M
;
Lin LY
;
Chen NF Acad Sinica Inst Semicond Lab Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
Adobe PDF(357Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:1518/239
  |  
提交时间:2010/11/15
Semiinsulating Gaas
Stoichiometry
Defects
In situ doping of 3C-SiC grown on (0001) sapphire substrates by LPCVD
会议论文
SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2001, PTS 1 AND 2, PROCEEDINGS, 389-3, TSUKUBA, JAPAN, OCT 28-NOV 02, 2001
作者:
Sun GS
;
Luo MC
;
Wang L
;
Zhu SR
;
Li JM
;
Zeng YP
;
Lin LY
;
Sun GS Chinese Acad Sci Inst Semicond Beijing 100083 Peoples R China.
Adobe PDF(751Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:1629/300
  |  
提交时间:2010/11/15
3c-sic
In-situ Doping
Low-pressure Cvd
Sapphire Substrate
Chemical-vapor-deposition
Competition Epitaxy