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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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中国科学院半导体研究... [6]
作者
江德生 [2]
牛智川 [1]
文献类型
会议论文 [6]
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2002 [1]
2000 [3]
1999 [1]
1998 [1]
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出处
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收录类别:CPCI\-S
文献类型:会议论文
专题:中国科学院半导体研究所(2009年前)
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Optical properties of AIInGaN quaternary alloys
会议论文
COMMAD 2002 PROCEEDINGS, SYDNEY, AUSTRALIA, DEC 11-13, 2002
作者:
Huang JS
;
Dong X
;
Luo XD
;
Liu XL
;
Xu ZY
;
Ge WK
;
Huang JS Chinese Acad Sci Inst Semicond Beijing 100083 Peoples R China.
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浏览/下载:1520/242
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提交时间:2010/10/29
Light-emitting-diodes
Localized Excitons
Luminescence
Relaxation
Silicon
Band
Mechanism on exciton-mediated energy transfer in erbium-doped silicon
会议论文
OPTICAL MATERIALS, 14 (3), BEIJING, PEOPLES R CHINA, JUN 13-18, 1999
作者:
Lei HB
;
Yang QQ
;
Ou HY
;
Wang QM
;
Lei HB Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelect POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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浏览/下载:1349/251
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提交时间:2010/11/15
Er-doped Silicon
Photoluminescence
Energy Transfer
Al2o3 Wave-guides
Er
Electroluminescence
Epitaxy
Gaas
Self-sustained oscillations caused by magnetic field in a weakly-coupled GaAs/AlAs superlattice
会议论文
PHYSICA B, 279 (1-3), HONG KONG, HONG KONG, JUN 21-25, 1999
作者:
Sun BQ
;
Wang JN
;
Jiang DS
;
Wu JQ
;
Wang YQ
;
Ge WK
;
Sun BQ Chinese Acad Sci Inst Semicond NLSM POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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浏览/下载:1374/228
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提交时间:2010/11/15
Transverse Magnetic Field
Field Domains
Self-sustained Oscillations
Semiconductors
Methods to tune the electronic states of self-organized InAs/GaAs quantum dots
会议论文
PHYSICA B-CONDENSED MATTER, 279 (1-3), HONG KONG, HONG KONG, JUN 21-25, 1999
作者:
Wang H
;
Niu ZC
;
Zhu HJ
;
Wang ZM
;
Jiang DS
;
Feng SL
;
Wang H Chinese Acad Sci Inst Semicond Natl Lab Superlattices & Microstruct Beijing 100083 Peoples R China.
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浏览/下载:1424/261
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提交时间:2010/11/15
Quantum Dot
Growth Interruption
Quantum Dot Laser
The influence of oxygen content on photoluminescence from Er-doped SiOx
会议论文
LUMINESCENT MATERIALS, 560, SAN FRANCISCO, CA, APR 05-08, 1999
作者:
Chen WD
;
Liang JJ
;
Hsu CC
;
Chen WD Chinese Acad Sci Inst Semicond POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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浏览/下载:894/0
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提交时间:2010/10/29
Photoluminescence measurements on erbium-doped silicon
会议论文
INTEGRATED OPTOELECTRONICS II, 3551, BEIJING, PEOPLES R CHINA, SEP 18-19, 1998
作者:
Lei HB
;
Yang QQ
;
Ou HY
;
Wang QM
;
Lei HB Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelect Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/10/29
Erbium-doped Silicon
Photoluminescence
Energy Transfer