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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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中国科学院半导体研究... [3]
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会议论文 [3]
发表日期
2009 [1]
2005 [2]
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英语 [3]
出处
JOURNAL OF... [1]
Optoelectr... [1]
SEMICONDUC... [1]
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专题:中国科学院半导体研究所(2009年前)
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WOS被引频次升序
WOS被引频次降序
Electronic structure and optical gain saturation of InAs1-xNx/GaAs quantum dots
会议论文
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
作者:
Chen J
;
Fan WJ
;
Xu Q
;
Zhang XW
;
Li SS
;
Xia JB
;
Chen, J, Nanyang Technol Univ, Sch Elect & Elect Engn, Singapore 639798, Singapore.
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提交时间:2010/03/09
Emission
High-output very small aperture laser and its near-field distribution properties - art. no. 60200L
会议论文
Optoelectronic Materials and Devices for Optical Communications丛书标题: PROCEEDINGS OF THE SOCIETY OF PHOTO-OPTICAL INSTRUMENTATION ENGINEERS (SPIE), Shanghai, PEOPLES R CHINA, NOV 07-10, 2005
作者:
Gan QQ
;
Song SF
;
Chen LH
;
Gan, QQ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2010/03/29
Data-storage
Influence of mode symmetry on quality factors of degenerate states in microlasers with an equilateral triangle resonator
会议论文
SEMICONDUCTOR AND ORGANIC OPTOELECTRONIC MATERIALS AND DEVICES丛书标题: PROCEEDINGS OF THE SOCIETY OF PHOTO-OPTICAL INSTRUMENTATION ENGINEERS (SPIE), Beijing, PEOPLES R CHINA, NOV 09-11, 2004
作者:
Chen Q
;
Huang YZ
;
Guo WH
;
Chen, Q, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2010/03/29
Microcavity