中文版 | English

在结果中检索

SEMI OpenIR

浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助

限定条件                
已选(0)清除 条数/页：   排序方式：
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Xue HY (Xue Hai-Yun);  Xue CL (Xue Chun-Lai);  Cheng BW (Cheng Bu-Wen);  Yu YD (Yu Yu-De);  Wang QM (Wang Qi-Ming);  Xue, HY, Chinese Acad Sci, State Key Lab Integrated Optoelect, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: xuehy@semi.ac.cn;  cbw@semi.ac.cn
Adobe PDF(427Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1137/245  |  提交时间：2010/11/01
GeSn合金的外延生长方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910088391.6, 公开日期: 2011-08-30
发明人:  成步文;  薛春来;  左玉华;  汪巍;  胡炜玄;  苏少坚;  白安琪;  薛海韵
Adobe PDF(269Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1600/217  |  提交时间：2011/08/30